|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Damage Free Cryogenic Etching of a Porous Organosilica Ultralow-k Filmстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 сентября 2013 г.
- Авторы: Liping Zhang, Rami Ljazouli, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Rémi Dussart, Mankelevich Yu A., de Marneffe Jean-François, Baklanov Stefan de Gendt and Mikhail
- Журнал: ECS Solid State Letters
- Том: 2
- Номер: 2
- Год издания: 2013
- Первая страница: N5
- Последняя страница: N7
- DOI: 10.1149/2.007302ssl
- Аннотация: Cryogenic etching is applied to a k = 2.3 porous organosilicate (OSG) low-k material. Plasma-induced damage is reduced due to protective effect of etch by-products, which condense in the low-k material at low temperature. Almost no carbon depletion is observed when the chuck temperature is below −70◦C in pure SF6 plasma. By addition of SiF4 and O2 into the gas discharge, plasma-induced damage could be further reduced as a result of enhanced SiOxFy passivation.
- Добавил в систему: Манкелевич Юрий Александрович