|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
SATURATION OF THE PHOTOCONDUCTIVITY AND CHARACTERISTICS OF ANNIHILATION OF PHOTOSTIMULATED DEFECTS IN UNDOPED A-SI-Hстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: ZVYAGIN I.P., KUROVA I.A., MELESHKO N.V., ORMONT N.N.
- Журнал: Soviet Physics Semiconductors-Ussr
- Том: 24
- Номер: 11
- Год издания: 1990
- Первая страница: 1238
- Последняя страница: 1240
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна