|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Light-emitting diodes of “Warm” white luminescence on the basis of p-n heterostructures of the InGaN/AlGaN/GaN type coated with phosphors made of yttrium-gadolinium garnetsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 июля 2016 г.
- Авторы: Soshchin N.P., Galchina N.A., Kogan L.M., Shirokov S.S., Yunovich A.E.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 43
- Номер: 5
- Год издания: 2009
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 672
- Последняя страница: 676
- DOI: 10.1134/S1063782609050248
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович