Исследования процесса аморфизации имплантированных низкоэнергетичными ионами гелия приповерхностных слоев кремниястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 января 2022 г.
Аннотация:Методами высокоразрешающей рефлектометрии, резерфордовского обратного рассеяния и спектральной эллипсометрии проведены исследования структурных изменений в приповерхностных слоях подложек Si(001), подвергнутых воздействию плазменно-иммерсионной ионной имплантации с энергией ионов гелия 2–5 кэВ и дозой D = 6 × 1015–5 × 1017 см–2. Установлено, что совместное применение указанных методов исследования позволяет определить распределение плотности ρ(z) по глубине слоя, его фазовое состояние и элементный состав. В результате обработки подложек кремния в гелиевой плазме при дозах 6 × 1016 см–2 вблизи поверхности формируется аморфизованный слой толщиной 20–30 нм с плотностью, близкой к плотности кремния. С увеличением дозы ионов гелия происходит формирование внутреннего пористого слоя.