|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
INTERBAND AUGER TRANSITIONS AND CHARGE-CARRIER LIFETIME IN DEGENERATE, NARROW-GAP, P-TYPE SEMICONDUCTORSстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: DMITRIEV AV, EVLYUKHIN AB
- Журнал: Semiconductors
- Том: 29
- Номер: 10
- Год издания: 1995
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 905
- Последняя страница: 909
- Аннотация: The probability of interband Auger recombination of an electron from the conduction band is calculated for a narrow-band semiconductor with a Kane spectrum when the holes are degenerate. The result is used to calculate the Auger recombination rate and the impact ionization rate in a semiconductor in which the holes and electrons are not in thermal equilibrium. An expression is obtained for the steady-state lifetime of nonequilibrium carriers. Numerical estimates are made for Hg1-xCdxTe (x=0.2). (C) 1995 American Institute of Physics.
- Добавил в систему: Дмитриев Алексей Владимирович