|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Characteristic features of the magnetoresistance of Pb1-xSnxTe(In) and Pb1-xMnxTe(In) alloys in ultrastrong magnetic fieldsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: deVisser A., Ivanchik I.I., Khokhlov D.R.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 30
- Номер: 8
- Год издания: 1996
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 737
- Последняя страница: 742
- Аннотация: The magnetoresistance of n- and p-type alloys Pb1-xSnxTe(In) with different compositions and of Pb1-xMnxTe(In) alloys in pulsed magnetic fields up to 40 T has been investigated. Localization of nonequilibrium charge carriers in a magnetic field has been observed in n- and p-type Pb1-xSnxTe(In). The amplitudes of a large-scale potential well in Pb1-xSnxTe(In) are estimated. A model which relates the localization mechanism to the tunneling of charge carriers from the allowed band to a single-electron metastable impurity state is proposed. A localization effect has not been observed in Pb1-xMnxTe(In). (C) 1996 American Institute of Physics.
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович