|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Scattering and electron mobility in combination-doped HFET-structures AlGaAs/InGaAs/AlGaAs with high electron densityстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Khabibullin R.A., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Ponomarev D.S., Lunin R.A., Kulbachinskii V.A.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 45
- Номер: 10
- Год издания: 2011
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1321
- Последняя страница: 1326
- DOI: 10.1134/S1063782611100125
- Добавил в систему: Лунин Роман Анатольевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Sem11.pdf | 182,7 КБ | 22 сентября 2015 [lunin] |