Low-threshold defect formation and modification of Ge surface layer under elastic and elastoplastic pulsed laser effectsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст pdf art_3A10.1134_2F1.15004651.pdf 69,1 КБ 11 ноября 2012 [Vladimir_Zaytsev]

[1] Low-threshold defect formation and modification of ge surface layer under elastic and elastoplastic pulsed laser effects / S. V. Vintsents, V. B. Zaitsev, A. V. Zoteev et al. // Semiconductors. — 2002. — Vol. 36. — P. 883–888.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть