|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Low-threshold defect formation and modification of Ge surface layer under elastic and elastoplastic pulsed laser effectsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Vintsents S.V., Zaitsev V.B., Zoteev A.V., Plotnikov G.S., Rodionov A.I., Chervyakov A.V.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 36
- Год издания: 2002
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 883
- Последняя страница: 888
- Добавил в систему: Зайцев Владимир Борисович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | art_3A10.1134_2F1.15004651.pdf | 69,1 КБ | 11 ноября 2012 [Vladimir_Zaytsev] |