|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Genesis of nanoscale defects and damage in GaAs subjected to multipulse quasi-static photostrains in micrometer-sized regions of semiconductorстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Vintsents S.V., Zaitseva A.V., Zaitsev V.B., Plotnikov G.S.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 38
- Номер: 3
- Год издания: 2004
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 245
- Последняя страница: 252
- Добавил в систему: Зайцев Владимир Борисович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | art_3A10.1134_2F1.16823191.pdf | 136,4 КБ | 11 ноября 2012 [Vladimir_Zaytsev] |