Кинетика накопления и отжига глубоких центров в полупроводниковых структурах при радиационных испытаниях, технологическом облучении и отжигетезисы докладаТезисы
Аннотация:Рассмотрено применение метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней с целью установления взаимосвязи параметров радиационных центров с критериальными параметрами полупроводниковых приборов при различных видах радиационного воздействия, создающих смещения в кристаллической решетке на примере облучения быстрыми электронами