|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
The Formation of Helium Bubbles in Silicon Surface Layers via Plasma Immersion Ion Implantationстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 21 ноября 2018 г.
- Авторы: Lomov A.A., Chesnokov Yu M., Oreshko A.P.
- Журнал: Moscow University Physics Bulletin
- Том: 72
- Номер: 6
- Год издания: 2017
- Издательство: Allerton Press
- Местоположение издательства: New York, N.Y., United States
- Первая страница: 563
- Последняя страница: 568
- DOI: 10.3103/S0027134917060108
- Аннотация: The surface layers of single-crystal silicon Si(001) substrates subjected to plasma-immersion implantation with 2- and 5-keV helium ions to a dose of 5 × 1017 cm–2 were probed via grazing incidence small-angle X-ray scattering and transmission electron microscopy. A surface layer formed by helium ions was found to possess a multilayer structure, wherein the upper layer is amorphous silicon, being on top of a sublayer with helium bubbles and a sublayer with a disturbed crystal structure. The in-depth electron density distribution, as well as the concentration and pore-size distribution, were established. The average pore sizes of bubbles at the above implantation energies are 4 nm and 8 nm, respectively.
- Добавил в систему: Орешко Алексей Павлович