A non-destructive, fast evaluation of PVD diffusion barriers deposited on porous low-k dielectricsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 октября 2018 г.

Работа с статьей


[1] A non-destructive, fast evaluation of pvd diffusion barriers deposited on porous low-k dielectrics / W. Yingjie, H. Peng, Z. Jing et al. // Microelectronic Engineering. — 2018. — Vol. 198. — P. 22. Non-destructive and fast evaluation of thin diffusion barriers deposited on top of porous low-k dielectrics by spectroscopic ellipsometry is demonstrated. Studying Physical Vapor Deposited (PVD) CoTa and CoW alloys has shown that 3 nm and 5 nm thick barriers still have holes sufficient for penetration of neutral molecules. This study also detected damage to OSG low-k films which occurs during barrier deposition. VUV light emitted by Ar plasma which is used for metal target sputtering is likely to have caused this damage. For this reason, low-k films were placed under the barriers in order to adsorb moisture during air storage. W atoms also penetrated pores of low-k film during the deposition phase. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть