Characterization of the spatial inhomogeneity of heterointerfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells by photoreflectance spectroscopyстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 декабря 2015 г.

Работа с статьей


[1] Characterization of the spatial inhomogeneity of heterointerfaces in gaas/algaas quantum wells by photoreflectance spectroscopy / L. P. Avakyants, P. Y. Bokov, G. B. Galiev et al. // Semiconductors. — 2015. — Vol. 49, no. 9. — P. 1202–1206. GaAs/AlGaAs quantum-well heterostructures with well widths from 20 to 35 nm are investigated by photoreflectance spectroscopy. The broadening of spectral lines related to band-to-band transitions increases with the transition energy and decreases with the well width. The observed decrease in the broadening parameter with increasing well width is explained in terms of spatial inhomogeneity of the heterointerfaces. According to the experimental data, the interface inhomogeneity in the structures under study is 0.34–0.39 nm (1.3–1.4 monolayers). [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть