Efficient gating of epitaxial boron nitride monolayers by substrate functionalizationстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 ноября 2015 г.

Работа с статьей


[1] Efficient gating of epitaxial boron nitride monolayers by substrate functionalization / A. Fedorov, C. S. Praveen, N. I. Verbitskiy et al. // Physical Review B. — 2015. — Vol. 92, no. 12. — P. 125440. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть