ИСТИНА

Fabris S.

Соавторы: Buechner B., Fedorov A., Grüneis A., Haberer D., Knupfer M., Nefedov A., Petaccia L., Piccinin S., Praveen S., Sachdev H., Usachov D., Vyalikh D.V., Wöll C. показать полностью..., Вербицкий Н.И.

1 статья

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 8, Scopus: 8

IstinaResearcherID (IRID): 11233245

Деятельность стиль:  обычный | ГОСТ | plain | abbrv | acm | alpha | amsalpha | amsplain | apalike | ieeetr | siam

• Статьи в журналах

  • 
    • 2015 Efficient gating of epitaxial boron nitride monolayers by substrate functionalization
    • Fedorov A., Praveen C.S., Verbitskiy N.I., Haberer D., Usachov D., Vyalikh D.V., Nefedov A., Wöll C., Petaccia L., Piccinin S., Sachdev H., Knupfer M., Büchner B., Fabris S., Grüneis A.
    • в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 92, № 12, с. 125440 DOI