ИСТИНА

Для области энергий 100-500 кэВ, наиболее распространенной в современных ионно-пучковых методиках, для наиболее распространенных материалов полупроводниковой технологии имеется незначительное количество экспериментальных данных касательно потенциалов взаимодействия частиц. При моделировании процессов взаимодействия частиц применяются усредненные потенциалы, которые в силу нехватки экспериментальных данных значительно отличаются от реальных значений. Это приводит к искажению результатов моделирования взаимодействия. К ионно-пучковым технологиям создания и анализа наноматериалов и нанообъектов предъявляются все более жесткие требования в связи с миниатюризацией электронной элементной базы и усложнению параметров радиационной стойкости и функциональности. Поэтому для получения адекватных требованиям результатов моделирования необходимо уточнение параметров применяемых потенциалов. В работе предлагается изучение сечения рассеяния легких ионов от поверхности наиболее распространенных в полупроводниковой промышленности материалов (Si, C) и получение на основе метода Фирсова значений потенциала взаимодействия. Применение методики СРИСЭ для характеризации с субнанометровым разрешением по глубине (0.6 нм) свойств поверхности мишеней позволит получить более точные значения потенциалов взаимодействия путем измерения выхода ионного рассеяния. Применение методов компьютерного моделирования позволит подобрать параметры аналитических потенциалов для наиболее близкого описания полученных экспериментальных данных. Это позволит как развить методики ионно-пучкового анализа так и получить более точные модели процессов взаимодействия ускоренных частиц с мишенями, что требуется для создания современных приборов и устройств.

In the energy range 100-500 keV, the most common in modern ion-beam techniques for the most common materials in semiconductor technology there is a limited amount of experimental data concerning the interaction potentials of particles. In the simulation of interaction between particles one use the average of the potentials due to the lack of experimental data differ significantly from real values. This leads to a distortion of the simulation results. To ion-beam technologies for the creation and analysis of nanomaterials and nano-objects are subject to increasingly stringent requirements in connection with the miniaturization of electronic components and complicate the parameters of radiation resistance and functionality. Therefore, to obtain adequate to the demands of the modeling results is necessary to clarify the parameters of the applied potentials. This project proposes the study of the scattering cross sections of light ions from the surface of the common semiconductor processing materials (Si, C) and on the basis of the Firsov method values of the interaction potential. The application of the technique, MEIS for the characterization in subnanometer scale depth resolution (0.6 nm) properties of the target surface will allow to obtain more accurate values of interaction potentials by measuring the yield of ion scattering. Application of computer simulation methods allows to choose the parameters of the analytical potentials for the closest description of the experimental data. This is both to develop methods of ion-beam analysis and to obtain more accurate models of processes of interaction of accelerated particles with the target that is required to create advanced devices