ИСТИНА

Построена и разработана последовательная теория взаимодействия фазово-модулированных ультракоротких импульсов лазерного излучения с тонкой пленкой полупроводника в экситонной области спектра с учетом упругого экситон-экситонного взаимодействия. Предсказан новый эффект, названный оптическим аналогом Фешбах-резонанса, состоящий в перенормировке константы упругого экситон-экситонного взаимодействия полем ультракороткого импульса с самосогласованным чирпом. Константа взаимодействия может изменять не только величину, но и знак. Доказана возможность установления режима полного просветления пленки для более сильного импульса и полного отражения для более слабого в условиях двухфотонного двухимпульсного возбуждения биэкситонов из основного состояния кристалла. Доказана возможность управления бистабильным пропусканием одного из импульсов изменением амплитуды другого импульса. Предсказан новый механизм генерации (усиления) терагерцового излучения при накачке в экситонный уровень благодаря оптической двухэкситон-биэкситонной конверсии.