Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Влияние дизайна метаморфного буфера и ориентации подложки на транспортные свойства HEMT-структур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/ In0.7Al0.3As на подложках GaAs
доклад на конференции
Авторы:
Овешников Л.Н.
,
Кульбачинский В.А.
,
Лунин Р.А.
,
Юзеева Н.А.
,
Пушкарев С.С.
,
Климов Е.А.
,
Галиев Г.Б.
Конференция :
5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения»
Даты проведения конференции:
2014
Дата доклада:
21 мая 2014
Тип доклада:
не указан
Докладчик:
не указан
не указан
Овешников Л.Н.
Кульбачинский В.А.
Лунин Р.А.
Юзеева Н.А.
Пушкарев С.С.
Климов Е.А.
Галиев Г.Б.
Место проведения:
Москва, НИЯУ-МИФИ, Russia
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич