|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Single-electron transistor based on several dopant atoms.доклад на конференции
- Авторы: Dagesyan S., Shorokhov V., Krupenin V., Soldatov E., Trifonov A., Presnov D.
- Международная Конференция : International Conference "Micro- and nanoelectronics - 2016", October 3 - 7 , 2016, Moscow-Zvenigorod, Russia
- Даты проведения конференции: 3-7 октября 2016
- Дата доклада: 6 октября 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Dagesyan S.
- Место проведения: Москва- Звенигород, Russia
- Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич