ИСТИНА

• Охват: Международная
• Даты проведения: 3-7 октября 2016
• Место проведения: Москва- Звенигород, Russia
• Организатор:
  Физико-технологический институт (ФТИАН РАН)
• Число участников: 140
• Число участников из МГУ: 28
• Число докладчиков: 121
• Веб-сайт: http://www.icmne.ftian.ru/
• Описание конференции:

  Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей физики микро- и наноразмерных приборов, а также микро- и наноэлектронных технологий. ICMNE-2016 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. На конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектронных применений. Тематика: Материалы и пленки для микро- и наноэлектронных структур: Si, SOI, DOI, SiGe, A3B5, A2B6 High-k диэлектрики, low-k диэлектрики Металлы для затворов, контактов и систем металлизации наноразмерных приборов Магнитные материалы, наномагнетики 1D и 2D материалы Материалы для оптоэлектроники, солнечной энергетики, метаматериалы Физика микро- и наноразмерных приборов: Тенденции масштабирования: More Moore, beyond CMOS, and more than Moore trends Нанотранзисторы: CMOS FET, TFET, SET, молекулярные и другие Интегральные устройства памяти, DRAM, ReRAM, FeRAM Магнитные микро- и наноструктуры, приборы спинтроники Сверхпроводящие микро- и наноприборы и устройства Приборы оптоэлектроники, фотоники Микро- и наноэлектромеханические системы (MEMS, NEMS) Моделирование Технологии и перспективное технологическое оборудование для производства приборов микро- и наноэлектроники: Суб-65 нм литография: DUV, иммерсионная, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС Back-End of Line (BEOL) процессы для технологии УБИС Технологии получения 2D материалов (графен, MoS2, WS2 и другие) Технологии создания МЭМС и НЭМС Технологии создания сверхпроводящих приборов Метрология: In situ методы мониторинга технологических процессов Методы контроля, диагностики и характеризации микро- и наноструктур Квантовая информатика: Квантовые компьютеры: теория и эксперимент Квантовые измерения Квантовые алгоритмы Квантовая связь Организаторы и спонсоры: Физико-технологический институт, Москва, Россия АО "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники", Зеленоград, Россия Российский фонд фундаментальных исследований, Москва, Россия Российская академия наук, Oтделение нанотехнологий и информационных технологий Научный Совет РАН по физическим и химическим основам полупроводникового материаловедения SPIE – The International Society for Optical Engineering, USA - the publisher of the Conference proceedings Институт физики полупроводников, Новосибирск, Россия Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия TechnoInfo Ltd., Wembley, UK Компания НИКС, Москва, Россия ЗАО "НТО" (SemiTEq), Санкт-Петербург, Россия

• Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич

Доклады:

• 2016 Analytical derivation of Low-Tc DC SQUID response (Устный)
• Авторы: Soloviev I., Klenov N., Kupriyanov M., Bakurskiy S., Schegolev A.

• 2016 Analytical derivation of matrix elements for Hamiltonians of flux qubits (Стендовый)
• Авторы: Кленов Н.В., Кузнецов А.В.

• 2016 Characteristics simulation of single-electron transistor based on the molecule with accentuated single-atom Rh detached charge center (Стендовый)
• Авторы: Parshintsev A.A., Soldatov E.S., Shorokhov V.V.

• 2016 Computer simulation of quantum effects in Tavis-Cummings model and its applications (Устный)
• Авторы: Ozhigov Y., Ladunov V., Skovoroda N.

• 2016 Dielectrophoresis method for single electron transistors creation. (Стендовый)
• Авторы: Galstyan A.G., Snigirev O.V., Soldatov E.S., Dagesyan S.A.

• 2016 Effective optical constants of silver nanofilms calculated in wide frequency range (Стендовый)
• Авторы: Tsysar K., Vdovin V., Andreev V.

• 2016 Entanglement of sender and receiver at the quantum state transfer in a spin chain with the XY Hamiltonian. (Устный)
• Авторы: Лазарев И.Д., Кузнецова Е.И.

• 2016 Experimental study of optical coefficients of nanometer-thick copper and gold films in microwave frequency range (Стендовый)
• Авторы: Khorin I., Orlikovsky N., Vdovin V., Pronin S., Andreev V., Tatarintsev A.

• 2016 Formation of metal electrodes with a nanoscale separation using an evaporated resist (Стендовый)
• Авторы: Dagesyan S., Soldatov E., Zharik G.

• 2016 Mechanical properties of bimetallic one-dimensional structures (Стендовый)
• Авторы: Smelova E., Sitnikov I., Vdovin V., Andreev V., Tsysar K.

• 2016 Nanowire based Field Effect Transistor for the detection of different biological objects. (Стендовый)
• Авторы: Presnov D., Presnova G., Krupenin V., Rubtsova M., Trifonov A., Bozhjev I.

• 2016 Optical coefficients of nanometer chromium films in 0.25–1.1 THz frequency range (Устный)
• Авторы: Andreev V.G., Angeluts A.A., Vdovin V.A., Shkurinov A.P., Lukichev V.F.

• 2016 Silicon nanowire based local field probe. (Стендовый)
• Авторы: Bozhev I., Krupenin V., Presnov D., Trifonov A.

• 2016 Single-electron transistor based on several dopant atoms. (Стендовый)
• Авторы: Dagesyan S., Shorokhov V., Krupenin V., Soldatov E., Trifonov A., Presnov D.

• 2016 Superconducting Spin Valves Based on Noncollinear Antiferromagnets (Устный)
• Авторы: Сафончик М., Пугач Н.Г.

• 2016 The features of charging -Z-cut single-domain ferroelectric LiTaO3 (Стендовый)
• Авторы: Markovets K.E., Tatarintsev A.A., Rau E.I.

• 2016 Two methods of improving dopant contrast for semiconductor structures under thin surface layers in scanning electron microscope (Стендовый)
• Авторы: Rau E., Tatarintsev A., Kolybin S., Karaulov V., Kupreenko S.