|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
ВЛИЯНИЕ КАНАЛИРОВАНИЯ НА ПРОФИЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ И РАДИАЦИОННОСТИМУЛИРОВАННЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛ КРЕМНИЯдоклад на конференции
- Авторы: Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Srdjan Petrovic, Кожемяко А.В., Назаров А.В., Шемухин А.А.
- Международная Конференция : XLV Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
- Даты проведения конференции: 26-30 мая 2015
- Дата доклада: 28 мая 2015
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Балакшин Ю.В.
- Место проведения: Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
На базе ускорителя HVEE на 500 кэВ создана экспериментальная линия, позволяющая проводить ионную имплантацию и изучать создаваемые структуры методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием. Проведены эксперименты по внедрению тяжелых ионов Xe в монокристаллический кремний (110) с энергиями в диапазоне 100 300 кэВ и дозами порядка 10^14 ион/см^2 при комнатной температуре. Облучение проводилось в направлении главной кристаллографической оси и в направлении, не содержащем выделенных каналов. В работе представлены результаты изучения влияния направления имплантации, дозы и энергии внедряемых ионов на профиль распределения примеси, а также профиль распределения радиационностимулированных дефектов методом резерфордовского обратного рассеяния. Рассматривался процесс разориентации кристаллической решетки под воздействием ионного облучения в зависимости от параметров пучка и направления облучения. Представлено сравнение полученных экспериментальных результатов с моделированием рассматриваемых процессов в программах, позволяющих учесть параметры эксперимента.
- Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович