2010 International Electron Devices Meetingсборник

Статьи, опубликованные в сборнике

---

• • 2010 A novel low-voltage biasing scheme for double gate FBC achieving 5s retention and 10<sup>16</sup> endurance at 85°C
  • Lu Z., Collaert N., Aoulaiche M., De Wachter B., De Keersgieter A., Schwarzenbach W., Bonnin O., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Mazure C., Altimime L., Jurczak M.
  • в сборнике 2010 International Electron Devices Meeting, место издания IEEE DOI