Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2017
Cyclotron resonance of dirac fermions in InAs/GaSb/InAs quantum wells
Krishtopenko S.S.
,
Ikonnikov A.V.
,
Maremyanin K.V.
,
Bovkun L.S.
,
Spirin K.E.
,
Kadykov A.M.
,
Marcinkiewicz M.
,
Ruffenach S.
,
Consejo C.
,
Teppe F.
,
Knap W.
,
Semyagin B.R.
,
Putyato M.A.
, Emelyanov E.A., Preobrazhenskii V.V.,
Gavrilenko V.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 1, с. 38-42
DOI
2017
Effect of free charge carriers on birefringence and dichroism in anisotropic porous silicon layers
Sekerbayev K.S.
,
Taurbayev Ye T.
,
Efimova A.I.
,
Timoshenko V.Yu
,
Taurbayev T.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 8, с. 1047-1051
DOI
2017
Electroreflectance spectra from multiple InGaN/GaN quantum wells in the nonuniform electric field of a p–n junction
Avakyants L.P.
,
Aslanyan A.E.
,
Bokov P.Yu
,
Polozhentsev K.Yu
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 2, с. 189-192
DOI
2017
Experimental and theoretical studies of the characteristics of position-sensitive photodetectors based on n-CdSe/mica epitaxial layers
Senokosov E.A.
,
Chukita V.I.
,
Khamidullin R.A.
,
Cheban V.N.
,
Odin I.N.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 5, с. 657-662
DOI
2017
Formation of Zinc Oxide Nanorods by Precipitation Method
Avdeeva A.V.
,
Zang X.
,
Muradova A.G.
,
Yurtov E.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 13, с. 1724-1727
DOI
2017
Growth and properties of isoparametric InAlGaPAs/GaAs heterostructures
Alfimova D.L., Lunin L.S., Lunina M.L., Arustamyan D.A., Kazakova A.E.,
Chebotarev S.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 10, с. 1377-1384
DOI
2017
Modification of the Termal Relaxation Kinetics of the Photoinduced (at T=425 K) Metastable Dark Conductivity of a:Si-H Films by Weak Illumination during the Initial Stage of Relaxation
Kurova and N N Ormont I/ A/
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 4, с. 417-419
DOI
2017
Modification of the Thermal Relaxation Kinetics of the Photoinduced (at T=425 K) Metastable Dark Conductivity of a-Si:H Films by Weak Illumination during the Initial Stage of Relaxation
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 4, с. 417-419
DOI
2017
On the Band Spectrum in p-Type HgTe/CdHgTe Heterostructures and Its Transformation under Temperature Variation
Ikonnikov A.V.
,
Bovkun L.S.
,
Rumyantsev V.V.
,
Krishtopenko S.S.
,
Aleshkin V.Ya
,
Kadykov A.M.
,
Orlita M.
,
Potemski M.
,
Gavrilenko V.I.
,
Morozov S.V.
,
Dvoretsky S.A.
,
Mikhailov N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 12, с. 1531-1536
DOI
2017
Photoluminescence of amorphous and crystalline silicon nanoclusters in silicon nitride and oxide superlattices
Shuleiko D.V.
,
Zabotnov S.V.
,
Zhigunov D.M.
,
Zelenina A.A.
,
Kamenskih I.A.
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 2, с. 196-202
DOI
2017
Preparation and study of the thermoelectric properties of Fe2TiSn1–xSix Heusler alloys
Voronin A.I.
,
Zueva V.Y.
,
Karpenkov D.Y.
,
Moskovskikh D.O.
,
Novitskii A.P.
,
Miki H.
,
Khovaylo V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 7, с. 891-893
DOI
2017
Preparation and study of the thermoelectric properties of Fe2TiSn1–xSix Heusler alloys
Voronin A.I., Zueva V.Y.,
Karpenkov D.Y.
,
Moskovskikh D.O.
,
Novitskii A.P.
, Miki H.,
Khovaylo V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 7, с. 891-893
DOI
2017
Production of Silicon Nanoparticles for Use in Solar Cells
Gribov B.G.
,
Zinov’ev K.V.
,
Kalashnik O.N.
, Gerasimenko N.N., Smirnov D.I.,
Sukhanov V.N.
,
Kononov N.N.
,
Dorofeev S.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 13, с. 1675-1680
DOI
2017
Raman Scattering in InP Doped by Be+-Ion Implantation
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 2, с. 168-172
2017
Simulation of the field-activated sintering of thermoelectric materials
Bulat L.P., Novotelnova A.V., Osvenskii V.B., Tukmakova A.S.,
Yerezhep D.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 6, с. 722-724
DOI
2017
Structural and optical properties of silicon-carbide nanowires produced by the high-temperature carbonization of silicon nanostructures
Pavlikov A.V.
,
Latukhina N.V.
,
Chepurnov V.I.
,
Timoshenko V.Yu
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 3, с. 402-406
DOI
2017
Structural studies of ZnS:Cu (5 at %) nanocomposites in porous Al2O3 of different thicknesses
Valeev R.G.
,
Trigub A.L.
,
Chukavin A.I.
,
Beltiukov A.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 2, с. 207-212
DOI
2017
Study of the distribution profile of iron ions Implanted into silicon
Kozhemyako A.V.
,
Balakshin Yu V.
,
Shemukhin A.A.
,
Chernysh V.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 6, с. 745-750
DOI
2017
Thermoelectric properties of CexNdyCo4Sb12 skutterudites
Litvinova K.I.
,
Voronin A.I.
,
Gorshenkov M.V.
,
Karpenkov D.Y.
,
Novitskii A.P.
,
Khovaylo V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 7, с. 928-931
DOI
2017
X-Ray Photoelectron Spectroscopy Studies of ZnSxSe1 – x Nanostructures Produced in a Porous Aluminum-Oxide Matrix
Chukavin A.I.
,
Valeev R.G.
,
Beltiukov A.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 51, № 10, с. 1350-1353
DOI
2016
Biosensor properties of SOI nanowire transistors with a PEALD Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> dielectric protective layer
Popov V.P., Ilnitskii M.A.,
Zhanaev E.D.
,
Myakon’kich A.V.
,
Rudenko K.V.
, Glukhov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 5, с. 632-638
DOI
2016
Changes in the conductivity of lead-selenide thin films after plasma etching
Zimin S.P.
,
Amirov I.I.
, Naumov V.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 8, с. 1125-1129
2016
Effect of Thallium Doping on the Mobility of Electrons in Bi2Se3 and Holes in Sb2Te3
Kudryashov A.A.
,
Kytin V.G.
,
Lunin R.A.
,
Kulbachinskii V.A.
,
Banerjee A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 7, с. 869-875
DOI
2016
Effect of cadmium-selenide quantum dots on the conductivity and photoconductivity of nanocrystalline indium oxide
Il’in A.S.
,
Fantina N.P.
,
Martyshov M.N.
,
Forsh P.A.
,
Chizhov A.S.
,
Rumyantseva M.N.
,
Gaskov A.M.
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 5, с. 607-611
DOI
2016
Gaussian approximation of the spectral dependence of the absorption spectrum in polymer semiconductors
Malov V.V.
,
Tameev A.R.
,
Novikov S.V.
, Khenkin M.V.,
Kazanskii A.G.
,
Vannikov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 50, № 4, с. 482-486
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>