Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
журнал
Индексирование: нет
Период активности журнала: не указан
Добавил в систему:
Никифоров Владимир Николаевич
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
следующая >>
1985
PARTICIPATION OF PLASMONS IN THE CATHODOLUMINESCENCE EMITTED BY AN ELECTRON-HOLE PLASMA IN EPITAXIAL ZNSE FILMS
Men V.Z.
,
Senokosov E.A.
,
Stoikova V.G.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 9, с. 966-969
1984
Acoustic instability in semiconductor with a noniquilibrium electron-hole plasma
Bugaev A.S.
,
Gulyev Yu V.
,
Zakharova A.A.
,
Ryzhii V.I.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 12, с. 1344-1346
1984
Formation of defects in amorphous hydrogenated silicon by laser irradiation
Chukicheva G.M.,
Zarifyants Y.A.
, Karyagin S.N.,
Kashkarov P.K.
,
Petrov A.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 10, с. 1183-1184
1984
INFLUENCE OF THE EXCITATION-ENERGY ON THE MECHANISM OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 10, с. 1137-1139
1984
INVESTIGATION OF THE RATE OF IMPACT IONIZATION IN HG0.80CD0.20TE
BOGDANOV EV
,
BRANDT NB
,
FLEISHMAN LS
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 6, с. 636-638
1984
Investigation of the electrical properties of indium-doped Pb1-xGexTe near a phase transition
Lebedev A.I.
,
Abdullin K.A.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 4, с. 388-390
1984
LUMINESCENCE OF ZINC GERMANIUM DIPHOSPHIDE CRYSTALS
Gorban I.S.
,
Grishchuk V.V.
,
Tregub I.G.
,
Ch ukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 8, с. 892-893
1984
Laser-radiation-induced changes in the parameters of surface-states on silicon
Kashkarov P.K.
,
Petrov A.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 3, с. 345-347
1984
PHOTOELECTRIC EFFECTS IN PB0.75SN0.25TE ALLOYS WITH DIFFERENT INDIUM CONCENTRATIONS
AKIMOV BA
,
ALBUL AV
,
NIKORICH AV
,
RYABOVA LI
,
KHOKHLOV DR
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 10, с. 1112-1116
1984
Photoconductivity and recombination processes in Ga-doped PbTe
Lebedev A.I.
, Aitikeeva T.D.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 11, с. 1227-1230
1984
Problem of the charge state of manganese impurities in GaAs-Mn
Andrianov DG
,
Grigorev YA
,
Klimonskii SO
,
Savelev AS
,
Yakubenya SM
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 2, с. 162-164
1984
RECOMBINATION OF CARRIERS IN SEMICONDUCTING BI1-XSBX ALLOYS
BOGDANOV EV
,
BRANDT NB
,
MANANKOV VM
,
FLEISHMAN LS
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 7, с. 788-791
1984
STRUCTURE OF THE EDGE LUMINESCENCE OF EPITAXIAL ZNTE FILMS ON SAPPHIRE SUBSTRATES
Senokosov E.A.
,
Stoikova V.G.
,
Usatyi A.N.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 6, с. 700-702
1984
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE MOBILITY EDGE OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
ZVYAGIN IP
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 18, № 8, с. 930-931
1983
CHARACTERISTICS OF ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF MULTIPLY DOPED PB1-XSNXTE ALLOYS
AKIMOV BA
, ELIZAROV AI,
KURBANOV KR
,
RYABOVA LI
,
SOKOVISHIN VV
, FEDOROV AV
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 6, с. 632-635
1983
CHARACTERISTICS OF FORMATION OF DEFECTS, AND OF THE SPATIAL-DISTRIBUTION AND LOCALIZATION OF AS ATOMS IMPLANTED IN SILICON UNDER CHANNELING CONDITIONS AT AN ELEVATED-TEMPERATURE
GALKIN GN, DRAVIN VA,
EPIFANOV MS
,
KULIKAUSKAS VS
, KHAMDOKHOV ZM
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 12, с. 1370-1372
1983
GALLIUM IMPURITY STATES AND PHOTOELECTRIC PHENOMENA IN PBTE-GA ALLOYS
AKIMOV BA
,
BRANDT NB
,
GASKOV AM
,
ZLOMANOV VP
,
RYABOVA LI
,
KHOKHLOV DR
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 1, с. 53-57
1983
IMPURITY RECOMBINATION IN A NARROW-GAP SEMICONDUCTOR ACCOMPANIED BY EXCITATION OF LOCAL PHONONS
DMITRIEV AV
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 12, с. 1423-1424
1983
INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF A-SI-H
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
KAZANSKII A.G.
,
VAVILOV V.S.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 8, с. 971-972
1983
INVERSION OF SPIN-SPLIT LANDAU SUBLEVELS ON TRANSITION THROUGH THE ZERO-GAP STATE OF PB1-XSNXSE ALLOYS
BRANDT NB
,
KOVALEV BB
,
PONOMAREV YG
,
PYREGOV BP
,
SKIPETROV EP
, TITEL V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 1, с. 38-40
1983
PHOTOCONDUCTIVITY OF N-TYPE GERMANIUM WITH REPULSIVE IMPURITYCENTERS AT PHOTON ENERGIES LESS THAN THE THERMAL IONIZATION-ENERGY
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 3, с. 346-347
1983
PHOTOELECTRIC EFFECTS IN INDIUM-DOPED PBTE
AKIMOV BA
,
BRANDT NB
,
KURBANOV KR
,
RYABOVA LI
,
KHASANOV AT
,
KHOKHLOV DR
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 9, с. 1021-1024
1983
Resonant amplification of sound near the spontaneous oscillation threshould of a semiconductors under impurity and interband breakdown conditions
Zakharova A.A.
,
Balkarei Yu I.
,
Bugaev A.S.
,
Gulyaev Y.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 3, с. 256-258
1983
STRUCTURAL PHASE-TRANSITIONS IN PB1-XSNXSE ALLOYS UNDER PRESSURE
BRANDT NB
,
PONOMAREV YG
,
SKIPETROV EP
, TITEL V.,
SHTANOV VI
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 4, с. 403-405
1983
TRANSIENT PHOTOCONDUCTIVITY OF AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 17, № 12, с. 1415-1416
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
следующая >>