Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
журнал
Индексирование: нет
Период активности журнала: не указан
Добавил в систему:
Никифоров Владимир Николаевич
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
следующая >>
1987
NONEQUILIBRIUM DEFECTS IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P., AIDAROVA R.K.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 21, № 12, с. 1354-1355
1987
RADIATIVE RECOMBINATION IN UNIAXIALLY DEFORMED ZNP2 AND CDP2 SINGLE-CRYSTALS
Vavilov V.S.
,
Koval V.S.
,
Romanyuk P.A.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 21, № 6, с. 621-624
1987
STIMULATED-EMISSION AS A RESULT OF ELECTRON-EXCITATION OF MONOCLINIC ZINC DIPHOSPHIDE CRYSTALS
Khakimov V.K.
,
Vavilov V.S.
,
Bityutskaya L.A.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 21, № 6, с. 695-696
1987
Two-demensional conduction in InSe at low temperatures
Brandt N.B.
,
Kul’bachinskii V.A.
,
Kovalyuk Z.D.
,
Lashkarev G.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 21, № 6, с. 613-615
1986
CRITICAL-BEHAVIOR OF HOPPING THERMOELECTRIC-POWER NEAR THE MOBILITY EDGE
ZVYAGIN IP
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 8, с. 959-960
1986
ELECTRICAL-PROPERTIES AND PHOTOLUMINESCENCE OF BISMUTH-DOPED LEAD-TELLURIDE CRYSTALS
ALTIKEEVA TD, GOLOVANOVA NS,
ZLOMANOV VP
, LEBEDEV AI, TANANAEVA OI
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 1, с. 25-27
1986
ELECTROMAGNETIC-EXCITATION OF ULTRASOUND IN DOPED SUPERLATTICES
BENESLAVSKII S.D.
,
VASILEV A.N.
,
DMITRIEV A.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 4, с. 481-482
1986
ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF N-TYPE INDIUM-ANTIMONIDE IRRADIATED WITH FAST ELECTRONS
SKIPETROV EP
, DMITRIEV VV,
ZAITOV FA
, KOLTSOV GI,
LADYGIN EA
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 10, с. 1120-1122
1986
Electrical properties and photoluminescence of bismuth-doped lead telluride crystals
Aitikeeva T.D.
,
Golovanova N.S.
,
Zlomanov V.P.
,
Lebedev A.I.
,
Tananaeva O.I.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 1, с. 25-27
1986
MODULATION OF THE ENERGY-BAND RELIEF OF SINGLE-CRYSTAL 2PBTE-TIBITE2 ALLOYS
ARTYUSHINA NY, DAVYDOV AV,
ZLOMANOV VP
, RYABOVA LI, TAMM ME
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 2, с. 158-161
1986
PHOTOCONDUCTIVITY OF PB0.75SN0.25 TE-IN WITH ISOVALENT SUBSTITUTIONAL IMPURITIES
AKIMOV BA
,
ALBUL AV
,
NIKORICH AV
,
RYABOVA LI
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 4, с. 399-402
1986
PINCH EFFECT IN A NARROW-GAP SEMICONDUCTOR WITH SYMMETRICAL ELECTRON AND HOLE SPECTRA
DMITRIEV AV
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 4, с. 437-439
1986
S-TYPE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF INTERBAND BREAKDOWN IN A NARROW-GAP SEMICONDUCTOR UNDER SIZE EFFECT CONDITIONS
DMITRIEV AV
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 20, № 7, с. 764-767
1985
ELECTRICAL BREAKDOWN IN HG1-XCDX TE SUBJECTED TO CROSSED FIELDS
BOGDANOV EV
, POPOV VL,
FLEISHMAN LS
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 11, с. 1189-1192
1985
FORMATION OF DEFECTS IN GALLIUM-PHOSPHIDE BY LASER IRRADIATION
ZENKOV Y.V.
,
KASHKAROV P.K.
,
DZHIDZHOEV M.S.
,
PLATONENKO V.T.
, et al.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 7, с. 787-788
1985
Formation of defects in gallium-phosphide by laser irradiation
Zenkov Y.V.
,
Kashkarov P.K.
,
Dzhidzhoev M.S.
,
Platonenko V.T.
, Popov V.K.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 7, с. 787-788
1985
High-frequency properties of bipolar hetrotransistors under conditions of diffesion transport of hot electrons in the base
Ryzhii V.I.
,
Zakharova A.A.
,
Panasov S.N.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 3, с. 298-300
1985
INFLUENCE OF BACKGROUND INTERBAND ILLUMINATION ON THE PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON
KAZANSKII A.G.
, MILICHEVICH E.P.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 3, с. 323-324
1985
INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY OF A-SI-H IN THE PRESENCE OF ADDITIONAL INTERBAND ILLUMINATION
KUROVA I.A.
,
ORMONT N.N.
,
OMELYANOVSKII E.M.
,
FUKSINA S.A.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 1, с. 25-27
1985
INTRINSIC LUMINESCENCE SPECTRA OF CDP2 CRYSTALS EXCITED BY AN ELECTRON-BEAM
Gorban I.S.
,
Gubanov V.A.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 7, с. 803-805
1985
INVESTIGATION OF THE INFLUENCE OF IRRADIATION WITH FAST ELECTRONS ON ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF PB1-XSNXSE
ZLOMANOV VP
,
LADYGIN EA
,
PYREGOV BP
,
SKIPETROV EP
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 1, с. 31-33
1985
Impurity photoconductivity of indium-doped Pb1-x-yGexSnyTe solid solutions
Abdullin K.A.
,
Lebedev A.I.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 10, с. 1061-1064
1985
LOW-TEMPERATURE CATHODOLUMINESCENCE OF GAP-SB
Yermakov O.N.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 2, с. 201-202
1985
Localization and thermal-stability of defects created by laser irradiation of germanium
Kashkarov P.K.
,
Petrov A.V.
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 2, с. 145-146
1985
Magnetic properties of A1-x(ii)MnxBvi compounds
Andrianov DG
,
Klimonskii SO
,
Savelev AS
в журнале
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
, том 19, № 7, с. 765-769
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
следующая >>