ИСТИНА

Клековкин А.В.

Соавторы: Акмаев М.А., Burbaev T., Tsvetkov V.A., Алещенко Ю.А., Садофьев Ю.Г., Aleshkin V.Y.

2 статьи, 6 тезисов докладов

IstinaResearcherID (IRID): 97896115

Деятельность стиль:  обычный | ГОСТ | plain | abbrv | acm | alpha | amsalpha | amsplain | apalike | ieeetr | siam

• Статьи в журналах

  • • 2019 Выращивание квантовых ям Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) с модуляцией молекулярного потока Ge II. Низкотемпературная фотолюминесценция
    • Клековкин А.В., Казаков И.П., Цветков В.А., Акмаев М.А., Зиновьев С.А.
    • в журнале Краткие сообщения по физике, издательство Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева (М.), том 46, № 3, с. 17-22
  • • 2018 Выращивание квантовых ям Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) с модуляцией молекулярного потока Ge I. Молекулярно - пучковая эпитаксия
    • Казаков И.П., Клековкин А.В., Цветков В.А., Акмаев М.А., Уваров О.В.
    • в журнале Краткие сообщения по физике, издательство Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева (М.), № 12, с. 40-46

• Тезисы докладов

  • • 2018 Growing of Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) quantum wells by modulation of the Ge flow
    • Klekovkin A.V., Kazakov I.P., Tsvetkov V.A., Akmaev M.A., Uvarov O.V.
    • в сборнике Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. 189
  • • 2018 Growing on silicon multilayer heterostructures of Ge/SiGe for optoelectronics
    • Burbaev T.M., Sadofyev Yu G., Akmaev M.A., Aleshkin V.Ya, Aleshchenko Yu A., Klekovkin A.V., Muratov A.V., Novikov A.V., Ushakov V.V., Yunin P.A., Yurasov D.V.
    • в сборнике Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018), издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. 172
  • • 2018 Выращенные на кремнии многослойные гетероструктуры Ge/SiGe для оптоэлектроники
    • Бурбаев Т.М., Садофьев Ю.Г., Акмаев М.А., Алешкин В.А., Алещенко Ю.А., Клековкин А.В., Муратов А.В., Новиков А.В., Ушаков В.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
    • в сборнике Мокеровские чтения. 9-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 23 мая 2018 года, Москва, место издания Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва Москва, тезисы, с. 72-73
  • • 2018 Выращивание квантовых ям Si/SiGe/Si (x<0,1) на основе короткопериодных сверхрешеток
    • Клековкин А.В., Казаков И.П., Цветков В.А., Акмаев М.А., Зиновьев С.А.
    • в сборнике Мокеровские чтения. 9-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 23 мая 2018 года, Москва, место издания Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва Москва, тезисы, с. 74-75
  • • 2017 Нанострутуры для оптоэлектроники на основе многослойных гетероструктур Ge/SiGe, выращенных на кремнии
    • Бурбаев Т.М., Садофьев Ю.Г., Акмаев М.А., Алешкин В.Я., Алещенко Ю.А., Клековкин А.В., Муратов А.В., Новиков А.В., Ушаков В.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
    • в сборнике Сборник трудов 3 всероссийской конференции "Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника" (ИСВПЭ-2017), место издания ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва Москва, тезисы, с. 139-141
  • • 2017 Прямозонное экситонное поглощение в кремниевых наноструктурах с системами квантовых ям Ge/SiGe
    • Бурбаев Т.М., Садофьев Ю.Г., Акмаев М.А., Алешкин В.Я., Алещенко Ю.А., Клековкин А.В., Муратов А.В., Новиков А.В., Ушаков В.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
    • в сборнике Труды VII международного междисциплинарного симпозиума "Физика поверхностных явлений, межфазных границ и фазовые переходы" (ФПЯ и ФП) “Physics of surface phenomena, interfaces boundaries and phase transitions” (PSP & PT), серия 7, том 1, тезисы, с. 43-45