ИСТИНА

Леоненя М.С.

Соавторы: Тагиев О.Б., Тагиев Б.Г., Яблонский Г.П., Абушов С.А., Нагиев Т.Г., Асадуллаева С.Г., Луценко Е., Jabarov S.H., Mammadov A.I., Quang V.X., Tagiev B.G., Yablonskii G.P., Павловский В.В. показать полностью..., Ржеуцкий В.С.

8 статей, 3 тезисов докладов

IstinaResearcherID (IRID): 8288568

Деятельность стиль:  обычный | ГОСТ | plain | abbrv | acm | alpha | amsalpha | amsplain | apalike | ieeetr | siam

• Статьи в журналах

  • • 2015 Structural and luminescence properties of CaxBa1-xGa2S4:Eu2+ chalgogenide seminconductor solid solutions
    • Tagiyev B.G., Tagiyev O.B., Mammadov A.I., Quang Vu Xuan, Naghiyev T.G., Jabarov S.H., Leonenya M.S., Yablonskii G.P., Dang N.T.
    • в журнале Physica B: Condensed Matter, издательство Elsevier BV (Netherlands), № 478, с. 58-62
  • • 2015 Люминесценция растворов Ca0.5Ba0.5Ga2S4 активированных ионами Eu2+ и Er3+
    • Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Нагиев Т.Г., Асадуллаева С.Г., Леоненя М.С., Яблонский Г.П., Абушов С.А.
    • в журнале Оптика и спектроскопия, том 118, № 3, с. 57-61
  • • 2015 Люминесценция растворов Ca0.5Ba0.5Ga2S4 активированных ионами Eu2+ и Er3+
    • Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Нагиев Т.Г., Асадуллаева С.Г., Леоненя М.С., Яблонский Г.П., Абушов С.А.
    • в журнале Оптика и спектроскопия, том 118, № 3, с. 410-413
  • • 2015 Фотолюминесценция твердых растворов CaxBa1–xGa2S4,активированных ионами Eu2+
    • Леоненя М.С., Луценко Е.В., Ржеуцкий Н.В., Павловский В.Н., Яблонский Г.П., Нагиев Т.Г., Тагиев Б.Г., Абушов С.А., Тагиев О.Б.
    • в журнале Журнал прикладной спектроскопии, издательство Наука и техника (Минск), том 82, № 2, с. 254-259
  • • 2015 Фотолюминесценция твердых растворов CaxBa1–xGa2S4,активированных ионами Eu2+
    • Леоненя М.С., Луценко Е.В., Ржеуцкий Н.В., Павловский В.Н., Яблонский Г.П., Нагиев Т.Г., Тагиев Б.Г., Абушов С.А., Тагиев О.Б.
    • в журнале Журнал прикладной спектроскопии, издательство Наука и техника (Минск), том 82, № 2, с. 254-259
  • • 2014 Фотолюминесценция твердых рaстворов Ca0.5Ba0.5Ga2S4: Eu,Er
    • Яблонский Г.П., Леоненя М.С., Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Нагиев Т.Г., Асадуллаева С.Г.
    • в журнале Fizika, том 20, № 3, с. 30-34

• Статьи в сборниках

  • • 2015 Влияние уровня возбуждения в интервале 104 – 108 Вт/см2 на спектры, кинетики и эффективности фотолюминесценции активированного ионами Eu3+ халькогенидного полупроводника CaGa4O7
    • Леоненя М.С., Луценко Е.В., Ржеуцкий Н.В., Павловский В.Н., Яблонский Г.П., Нагиев Т.Г., Тагиев Б.Г., Абушов С.А., Тагиев О.Б.
    • в сборнике Сборник статей 10-го Белорусско-Российского семинара “Полупроводниковые лазеры и системы на их основе”, место издания Минск, с. 142-145
  • • 2014 Фотолюминесценция и случайная генерация света в микропорошках широкозонных халькогенидных люминофоров и полупроводников
    • Леоненя М.С., Луценко Е.В., Нагиев Т.Г., Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Яблонский Г.П.
    • в сборнике Материалы ХХ Всероссийской научной конференции «Оптика и спетроскопия кондерсированных сред», место издания Краснодар, с. 23-26

• Тезисы докладов

  • • 2014 Излучательные свойства кристалла Ca0.5Ba0.5Ga2S4: Eu,Er
    • Яблонский Г.П., Леоненя М.С., Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Нагиев Т.Г., Асадуллаева С.Г.
    • в сборнике Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 7-10 июля 2014 года, тезисы, с. 205-206
  • • 2014 Лазеры со случайной генерацией, люминесценция и оптические свойства кристаллов, нано- и микропорошков широкозонных полупроводников и халькогенидов с редкими землями при оптической и электронной накачке
    • Леоненя М.С., Павловский В.Н., Луценко Е.В., Нагиев Т.Г., Абушов С.А., Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Яблонский Г.П.
    • в сборнике Тезисы докладов 1-ой Азербайджано-Белорусской международной конференции, место издания Фонд Развития Науки Баку, тезисы, с. 11-12
  • • 2014 Фотолюминесценция халькогенидных полупроводников СaхВa1-х Ga2S4 активированных ионами Eu2+
    • Леоненя М.С., Яблонский Г.П., Нагиев Т.Г., Тагиев О.Б.
    • в сборнике Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 7-10 июля 2014 года, тезисы, с. 207