Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Krymov V.M.
Krymov V.M.
IstinaResearcherID (IRID): 697852786
–

Статьи в журналах

    • 2023 01) β-Ga2O3 substrates for reducing structural defects after diamond sawing
    • Butenko P.N., Boiko M.E., Almaev A.V., Sharkov M.D., Kitsay A.A., Krymov V.M., Zarichny A.A., Nikolaev V.I.
    • в журнале Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, издательство Kexue Chubaneshe/Science Press (China), том 2, № 44 DOI

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь