Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Tsatsul’nikov A.F.
Соавторы:
Osipov A.V.
,
Черкашин М.И.
1 статья
Количество цитирований статей в журналах по данным Scopus: 3
IstinaResearcherID (IRID): 458857553
Деятельность
Статьи в журналах
2021
Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates
Cherkashin N.A.
, Sakharov A.V., Nikolaev A.E., Lundin V.V., Usov S.O., Ustinov V.M., Grashchenko A.S., Kukushkin S.A.,
Osipov A.V.
,
Tsatsul’nikov A.F.
в журнале
Technical Physics Letters
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 47, № 10, с. 753-756
DOI