–
Статьи в журналах
-
- 2011 High mobility strained Si0.5Ge0.5/SSOI short channel field effect transistors with TiN/GdScO3 gate stack
- Minamisawa R.A., Schmidt M., Durgun Özben E., Lopes J.M.J, Hartmann J.M., Bourdelle K.K., Schubert J., Zhao Q.T., Buca D., Mantl S.
- в журнале Microelectronic Engineering, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 88, № 9, с. 2955-2958 DOI
Книги
- 2012 Nonthermal Plasmas Chemistry and Physics
- Becker K.H., Brandenburg R., Bronold F.X., Davies P.B., Dinklage A., Dittmann K., Ehlbeck J., Fehske H., Foest R., Hannemann M., Hartfuss H.J., Hippler R., Kersten H., Kozlov K.V., Lavrov B.P., Loeffhagen D., Meichsner J., mueller S., Ohl A., Rai A., Roepcke J., Rousseau A., Schmidt M., Schneider R., Schroeder K., Steffen H., Uhrfandt D., Keudell A., Woedtke Tth, Wagner H.E., Weltmann K.D., Wulff H., Zahn R.J.
- место издания CRC-Press Boca Raton-London-New York, ISBN 978-1-4200-5916-8, 548 с.
- 2008 Low Temperature Plasmas - Fundamentals, Technologies and Techniques. Volume 1
- Rutscher A., Lofhagen D., Sigeneger F., Winkler R., Becker K., Lin C., Hippler R., Kersten H., Keudell A., Melzer A., Goree J., Pfau S., Tichy M., Ropke J., Davies P., Hempel F., Lavrov B., Schmidt M., Foest R., Basner R., Wagner H-E, Kozlov K.V., Brandenburg R., Fukarek W., Wulff H., Steffen H., Conrads H.
- место издания Wiley-VCH Berlin, ISBN 978-3-527-40673-9, 409 с.