Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Bocchi C.
Bocchi C.
IstinaResearcherID (IRID): 2821806
–

Доклады на научных конференциях

    • 1996 An advanced X-ray HRD studies of microdefects in Si doped GaAs bulk crystal.
    • Авторы: Ломов А.А., Бушуев В.А., Franzosi P., Имамов Р.М., Bocchi C.
    • Proc. 3rd European Symposium “X-Ray Topography and High Resolution Diffraction”, Palermo, Italy, 22-24 April 1996. P. 197. , Palermo, Italy, Италия, 1996

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь