ИСТИНА

Mosca M.

Соавторы: Alexanyan L.A., Grandjean N., Haller C., Pearton S.J., Shchemerov I.V., Лагов П.Б., Павлов Ю.С., Поляков А.Я., Смирнов Н.Б., Butté R., Carlin J.F., Chernykh A., Chernykh S.V. показать полностью..., Kochkova A., Shiko A.S.

2 статьи

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 0, Scopus: 0

IstinaResearcherID (IRID): 238298854

Деятельность стиль:  обычный | ГОСТ | plain | abbrv | acm | alpha | amsalpha | amsplain | apalike | ieeetr | siam

• Статьи в журналах

  • • 2020 Deep traps in InGaN/GaN single quantum well structures grown with and without InGaN underlayers
    • Polyakov A.Y., Haller C., Butt
      e R., Smirnov N.B., Alexanyan L.A., Kochkova A.I., Shikoh S.A., Shchemerov I.V., Chernykh A.V., Lagov P.B., Pavlov Yu S., Carlin J.F., Mosca M., Grandjean N., Pearton S.J.
    • в журнале Journal of Alloys and Compounds, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 845, с. 156269-1-156269-8 DOI
  • 
    • 2019 Effects of InAlN underlayer on deep traps detected in near-UV InGaN/GaN single quantum well light-emitting diodes
    • Polyakov A.Y., Haller C., Smirnov N.B., Shiko A.S., Shchemerov I.V., Chernykh S.V., Alexanyan L.A., Lagov P.B., Pavlov Yu S., Carlin J.F., Mosca M., Butté R., Grandjean N., Pearton S.J.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 126, № 12, с. 125708 DOI