ИСТИНА

Дитрих Т.

Соавторы: Тимошенко В.Ю., Rappich J., Кашкаров П.К., Koch F., Константинова Е.А., Кытин В.Г., Porteanu H.E., Sieber I., Duzhko V., KAMENEV V., Гареева А.Р., Петренко А.А., Parkhutik V. показать полностью..., Richardson V., Schwartzkopff M., Tsybeskov L., Vasilevskii M.I., Бруевич В.В., Букунов К.А., Бурдель К.К., Видманн Й., Головнин И.В., Григорян С.С., Дембо К.А., Миранда П.М., Паращук Д.Ю., Паращук О.Д., Петров А.А., Хохлов Д.Р., Чеченин Н.Г., Gavrilov A., Fussel W., Brutting W., Belogorokhov I.A., Belogorokhov A.I., LEWERENZ H., Lisachenko M.G., MATVEEVA A.

47 статей, 1 диссертация

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 693, Scopus: 640

IstinaResearcherID (IRID): 1478539

Деятельность стиль:  обычный | ГОСТ | plain | abbrv | acm | alpha | amsalpha | amsplain | apalike | ieeetr | siam

• Статьи в журналах

  • 
    • 2013 Acceptor-Enhanced Local Order in Conjugated Polymer Films
    • Parashchuk Olga D., Grigorian Souren, Levin Eduard E., Bruevich Vladimir V., Bukunov Kirill, Golovnin Ilya V., Dittrich Thomas, Dembo Kirill A., Volkov Vladimir V., Paraschuk Dmitry Yu
    • в журнале Journal of Physical Chemistry Letters, издательство American Chemical Society (United States), том 4, с. 1298-1303 DOI
  • 
    • 2006 Infrared absorption by polar optical phonons in a CdS nanocrystal array consisting of quantum dots and quantum wires
    • Belogorokhov A.I., Belogorokhov I.A., Vasilevskii M.I., Gavrilov S.A., Miranda R.P., Dittrich Th, Khokhlov D.R.
    • в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 84, № 3, с. 124-126 DOI
  • 
    • 2003 PHOTOASSISTED ELECTRICAL TRANSPORT IN POROUS TIO2
    • Kytin V., Weidmann J., Koch F., Dittrich Th, Petrov A., Timoshenko V.Yu, Kashkarov P.K., Parkhutik V.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 197, № 2, с. 487-491
  • 
    • 2003 Photoassisted electrical transport in porous TiO2
    • Kytin V., Petrov A., Timoshenko V.Y., Parkhutik V., Kashkarov P.K., Weidmann J., Koch F., Dittrich T.
    • в журнале Physica Status Solidi (A) Applications and Materials, издательство Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co. (Germany), том 197, № 2, с. 487-491 DOI
  • 
    • 2003 THE ROLE OF INTER- AND INTRAPARTICLE TRANSPORT FOR THE MICROWAVE PHOTORESPONSE IN NANOCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS
    • Kytin V., Porteanu H.E., Loginenko O., Dittrich Th, Koch F., Konstantinova E., Timoshenko V.Yu, Kashkarov P.K.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 197, № 1, с. 257-262
  • 
    • 2003 The role of inter- and intraparticle transport for the microwave photoresponse in nanocrystalline semiconductors
    • Kytin V., Porteanu H.E., Loginenko O., Dittrich T., Konstantinova E., Timoshenko V.Y., Koch F., Kashkarov P.K.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 197, № 1, с. 257-262 DOI
  • 
    • 2002 MICROWAVE PHOTOCONDUCTIVITY IN NANOCRYSTALLINE POROUS TITANIUM OXIDE SUBJECTED TO PULSED LASER EXCITATION
    • Konstantinova E.A., Timoshenko V.Yu, Kashkarov P.K., Kytin V.G., Gaivoronskii V.Ya, Porteanu H., Dittrich Th, Koch F.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 36, № 3, с. 319-324
  • 
    • 2002 Microwave photoconductivity in nanocrystalline porous titanium oxide subjected to pulsed laser excitation
    • Konstantinova E.A., Timoshenko V.Y., Kashkarov P.K., Kytin V.G., Gaivoronskii V.Y., Porteanu H., Dittrich T., Koch F.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 36, № 3, с. 319-324 DOI
  • 
    • 2002 Non-radiative recombination at reconstructed Si surfaces
    • Dittrich T., Bitzer T., Rada T., Timoshenko V.Y., Rappich J.
    • в журнале Solid-State Electronics, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 46, № 11, с. 1863-1872 DOI
  • 
    • 2001 Defect transformation under growth of submonolayer oxides on silicon surfaces at low temperatures
    • Dittrich T., Bitzer T., Rada T., Richardson N.V., Timoshenko V.Y., Rappich J., Koch F.
    • в журнале Microelectronic Engineering, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 59, № 1-4, с. 399-404 DOI
  • 
    • 2001 Diffusion photovoltage in poly(p-phenylenevinylene)
    • Duzhko V., Dittrich T., Kamenev B., Timoshenko V.Y., Brutting W.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство American Institute of Physics (United States), том 89, № 8, с. 4410-4412 DOI
  • 
    • 2001 Effect of photoexcitation on dielectric constant of nanocrystalline TiO2 studied by microwaves
    • Kytin V.G., Konstantinova E.A., Porteanu H.E., Timoshenko V.Y., Kashkarov P.K., Dittrich T., Koch F.
    • в журнале PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, том 11, с. 115-122
  • 
    • 2001 Injection photovoltage in thin anodic TiO2 layers
    • Kytin V., Duzhko V., Timoshenko V.Y., Rappich J., Dittrich T.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 185, № 2, с. R1-R3 DOI
  • 
    • 2001 Photovoltage in nanocrystalline porous TiO2
    • Duzhko V., Timoshenko V.Y., Koch F., Dittrich T.
    • в журнале Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, издательство American Institute of Physics (United States), том 64, № 7, с. 075204 DOI
  • 
    • 2001 Room temperature electroluminescence from a c-Si p-i-n structure
    • Dittrich T., Timoshenko V.Y., Rappich J., Tsybeskov L.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство American Institute of Physics (United States), том 90, № 5, с. 2310-2313 DOI
  • 
    • 2000 Annihilation of nonradiative defects on hydrogenated silicon surfaces under pulsed-laser irradiation
    • Timoshenko V.Y., Dittrich T., Koch F., Kamenev B.V., Rappich J.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство American Institute of Physics (United States), том 77, № 19, с. 3006-3008 DOI
  • 
    • 2000 Diffusion photovoltage in porous semiconductors and dielectrics
    • Timoshenko V.Y., Duzhko V., Dittrich T.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 182, № 1, с. 227-232 DOI
  • 
    • 2000 Electrical conductivity of meso-porous Si: Effects of the condensation of polar liquids
    • Timoshenko V.Y., Lysenko V., Dittrich T., Koch F.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 182, № 1, с. 163-168 DOI
  • 
    • 2000 Influence of adsorbed water and oxygen on the photoluminescence and EPR of por-TiO2 (anatase)
    • Konstantinova E., Weidmann J., Dittrich Th
    • в журнале Journal of Porous Materials, издательство Kluwer Academic Publishers (Netherlands), том 7, с. 389-392 DOI
  • 
    • 2000 Infrared free carrier absorption in mesoporous silicon
    • Timoshenko V.Y., Dittrich T., Koch F.
    • в журнале Physica Status Solidi (B): Basic Research, издательство John Wiley & Sons Ltd. (United Kingdom), том 222, № 2, с. R1-R2 DOI
  • 
    • 2000 Is there a limit for the passivation of Si surfaces during anodic oxidation in acidic NH4F solutions?
    • Rappich J., Timoshenko V.Y., Wurz R., Dittrich T.
    • в журнале Electrochimica Acta, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 45, № 28, с. 4629-4633 DOI
  • 
    • 2000 Laser-induced melting of porous silicon
    • Timoshenko V.Y., Dittrich T., Sieber I., Rappich J., Kamenev B.V., Kashkarov P.K.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 182, № 1, с. 325-330 DOI
  • 
    • 2000 Microwave conductivity and Raman spectroscopy of porous TiO2
    • Porteanu H.E., Timoshenko V.Y., Dittrich T., Koch F.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 182, № 1, с. 201-206 DOI
  • 
    • 2000 Photoluminescence characterization of non-radiative defect density on silicon surfaces and interfaces at room temperature
    • Timoshenko V.Y., Petrenko A.B., Dittrich T., Fussel W., Rappich J.
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 364, № 1-2, с. 196-199 DOI
  • 
    • 2000 Thermal activation of the electronic transport in porous titanium dioxides
    • Dittrich T., Weidmann J., Timoshenko V.Y., Petrov A.A., Koch F., Lisachenko M.G., Lebedev E.
    • в журнале Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 69, с. 489-493 DOI
  • 
    • 1999 Effect of local surface structure on electronic properties of hydrogenated silicon surfaces
    • Dittrich T., Timoshenko V.Y., Schwartzkopff M., Hartmann E., Rappich J., Kashkarov P.K., Koch F.
    • в журнале Microelectronic Engineering, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 48, № 1-4, с. 75-78 DOI
  • 
    • 1999 Effect of roughness of hydrogenated Si(111) surfaces on defect annealing and formation under excimer laser irradiation
    • Timoshenko V.Y., Dittrich T., Rappich J.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 173, № 2, с. R3-R4 DOI
  • 
    • 1999 Quantitative analysis of room temperature photoluminescence of c-Si wafers excited by short laser pulses
    • Timoshenko V.Y., Petrenko A.B., Stolyarov M.N., Dittrich T., Fuessel W., Rappich J.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство American Institute of Physics (United States), том 85, № 8, с. 4171-4175 DOI
  • 
    • 1998 Express characterization of indirect semiconductor surfaces by in situ photoluminescence during chemical and electrochemical treatments
    • Timoshenko V.Y., Rappich J., Dittrich T.
    • в журнале Applied Surface Science, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 123, с. 111-114 DOI
  • 
    • 1998 Investigation of the photovoltage in por-Si/p-Si structures by the pulsed-photovoltage method
    • Timoshenko V.Y., Konstantinova E.A., Dittrich T.
    • в журнале Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 32, № 5, с. 549-554 DOI
  • 
    • 1998 Unusual stabilization of Si surfaces during roughening in fluoride solution
    • Dittrich T., Timoshenko V.Y., Rappich J.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство American Institute of Physics (United States), том 72, № 13, с. 1635-1637 DOI
  • 
    • 1997 Blocking effect of charge transfer at the porous silicon/silicon interface
    • Dittrich T., Rappich J., Timoshenko V.Y.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство American Institute of Physics (United States), том 70, № 20, с. 2705-2707 DOI
  • 
    • 1997 Correlation between surface non-radiative recombination and current oscillation at p-Si(100) during electropolishing in fluoride solution
    • Rappich J., Timoshenko V.Y., Dittrich T.
    • в журнале Berichte der Bunsengesellschaft/Physical Chemistry Chemical Physics, том 101, № 1, с. 139-142
  • 
    • 1997 In situ monitoring of electrochemical processes at the (100) p-Si/aqueous NH4(F) electrolyte interface by photoluminescence
    • Rappich J., Timoshenko V.Y., Dittrich T.
    • в журнале Journal of the Electrochemical Society, издательство Electrochemical Society, Inc. (United States), том 144, № 2, с. 493-496 DOI
  • 
    • 1997 In situ photoluminescence analysis of nonradiative recombination on silicon surfaces treated in fluoride solution
    • Timoshenko V.Y., Rappich J., Dittrich T.
    • в журнале Japanese Journal of Applied Physics, издательство Institute of Pure and Applied Physics (Japan), том 36, № 1AB, с. L58-L60 DOI
  • 
    • 1996 Adsorption-induced modification of spin and recombination centers in porous silicon
    • Konstantinova E.A., Dittrich T., Timoshenko V.Y., Kashkarov P.K.
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 276, № 1-2, с. 265-267 DOI
  • 
    • 1996 INFLUENCE OF PHOTOLUMINESCENCE AND TRAPPING ON THE PHOTOVOLTAGE AT THE POR-SI/P-SI STRUCTURE
    • Timoshenko V.Yu, Kashkarov P.K., Matveeva A.B., Konstantinova E.A., Flietner H., Dittrich Th
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 276, № 1-2, с. 216-218
  • 
    • 1996 Influence of photoluminescence and trapping on the photovoltage at the por-Si/p-Si structure
    • Timoshenko V.Y., Kashkarov P.K., Matveeva A.B., Konstantinova E.A., Flietner H., Dittrich T.
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 276, № 1-2, с. 216-218 DOI
  • 
    • 1996 STABLE AND EFFICIENT CATHODO- AND PHOTOLUMINESCENCE FROM ULTRATHIN POROUS SILICON LAYERS
    • Timoshenko V.Yu, Gareeva A.R., Kashkarov P.K., Petrov V.I., Sieber I., Dittrich Th
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 276, № 1-2, с. 287-289
  • 
    • 1996 Stable and efficient cathodo- and photoluminescence from ultrathin porous silicon layers
    • Timoshenko V.Y., Gareeva A.R., Kashkarov P.K., Petrov V.I., Sieber I., Dittrich T.
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 276, № 1-2, с. 287-289 DOI
  • 
    • 1995 INFLUENCE OF MOLECULE ADSORPTION ON POROUS SILICON PHOTOLUMINESCENCE
    • DITTRICH T., KONSTANTINOVA EA, TIMOSHENKO VY
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 255, № 1-2, с. 238-240 DOI
  • 
    • 1995 INFLUENCE OF THE OXIDATION PROCESS ON THE LUMINESCENCE OF HF-TREATED POROUS SILICON
    • DITTRICH T., FLIETNER H., TIMOSHENKO VY, KASHKAROV PK
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 255, № 1-2, с. 149-151 DOI
  • 
    • 1995 RELAXATION MECHANISMS OF ELECTRONIC EXCITATION IN NANOSTRUCTURES OF POROUS SILICON
    • DITTRICH T., KASHKAROV PK, KONSTANTINOVA EA, TIMOSHENKO VY
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 255, № 1-2, с. 74-76 DOI
  • 
    • 1995 ULTRATHIN LUMINESCENT NANOPOROUS SILICON ON N-SI - PH DEPENDENT PREPARATION IN AQUEOUS NH4F SOLUTIONS
    • DITTRICH T., RAUSCHER S., TIMOSHENKO VY, RAPPICH J., SIEBER I., FLIETNER H., LEWERENZ HJ
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство American Institute of Physics (United States), том 67, № 8, с. 1134-1136 DOI
  • 
    • 1994 INFLUENCE OF H2O ATMOSPHERE ON THE PHOTOLUMINESCENCE OF HF-PASSIVATED POROUS SILICON
    • DITTRICH T., TIMOSHENKO VY
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство American Institute of Physics (United States), том 75, № 10, с. 5436-5437 DOI
  • 
    • 1990 Laser-induced modification of n-GaAs below the classical melting threshold
    • Dittrich Th, Timoshenko V.I.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 121, № 2, с. 547-554 DOI
  • • 1988 Исследование расслоения фосфида галлия под воздействием лазерного излучения методами обратного рассеяния и оже-спектроскопии
    • Бурдель К.К., Дитрих Т., Кашкаров П.К., Чеченин Н.Г.
    • в журнале Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 6, с. 141-143

• Диссертация

  • • 1990 Исследование лазерно-индуцированных процессов в арсениде и в фосфиде галлия методами фотоотражения и резерфордовского обратного рассеяния
    • Кандидатская диссертация по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников (физ.-мат. науки)
    • Автор: Дитрих Т.
    • Научные руководители: Чеченин Н.Г., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова, Кашкаров П.К., д.ф.-м.н., проф., МГУ имени М.В. Ломоносова
    • Защищена в совете Специализированный совет №2К-053.05.20 при МГУ имени М.В. Ломоносова