ИСТИНА

Osipov A.V.

Соавторы: Кукушкин С.А., Dyadenchuk A.F., Grashchenko A.S., Kidalov V.V., Redkov A.V., Sharkov M.D., Soshnikov I.P., Tsatsul’nikov A.F., Tsatsul’nikov A.F., Бойко М.Е., Устинов В.М., Черкашин М.И.

7 статей, 1 книга

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 4, Scopus: 7

IstinaResearcherID (IRID): 114530748

Деятельность

• Статьи в журналах

  • • 2022 Эпитаксиальный карбид кремния на кремнии. Метод согласованного замещения атомов
    • Кукушкин С.А., Осипов А.В.
    • в журнале Журнал общей химии, издательство Наука (СПб.), том 92, № 4, с. 547-577
  • 
    • 2021 Formation of composite SiC-C coatings on graphite via annealing Si-melt in CO
    • Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V.
    • в журнале Surface and Coatings Technology, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 423, с. 127610 DOI
  • 
    • 2021 Nanoscale Single-Crystal Silicon Carbide on Silicon and Unique Properties of This Material
    • Kukushkin S.A., Osipov A.V.
    • в журнале Inorganic Materials, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 57, № 13, с. 1319-1339 DOI
  • 
    • 2021 Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates
    • Cherkashin N.A., Sakharov A.V., Nikolaev A.E., Lundin V.V., Usov S.O., Ustinov V.M., Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Tsatsul’nikov A.F.
    • в журнале Technical Physics Letters, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 47, № 10, с. 753-756 DOI
  • 
    • 2021 Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates
    • Cherkashin N.A., Sakharov A.V., Nikolaev A.E., Lundin V.V., Usov S.O., Ustinov V.M., Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Tsatsul’nikov A.F.
    • в журнале Technical Physics Letters, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 47, № 10, с. 753-756 DOI
  • • 2020 Anomalous Properties of the Dislocation-Free Interface between Si(111) Substrate and 3C-SiC(111) Epitaxial Layer
    • Kukushkin Sergey A., Osipov Andrey V.
    • в журнале Materials, издательство MDPI (Basel, Switzerland), том 14, № 1, с. 78 DOI
  • 
    • 2018 GROWTH OF SiC FILMS BY THE METHOD OF SUBSTITUTION OF ATOMS ON POROUS Si (100) AND (111) SUBSTRATES
    • Kidalov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Boiko M.E., Sharkov M.D., Dyadenchuk A.F.
    • в журнале Materials Physics and Mechanics, издательство Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем машиноведения Российской академии наук (Санкт-Петербург), № 36, с. 39-52

• Книги

  • • 2022 Mechanics and Control of Solids and Structures
    • Кукушкин Сергей Арсеньевич, Осипов А.В., Алексей Редков
    • издательство Springer International Publishing (New York) , ISBN 978-3-030-93075-2 DOI