Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Osipov A.V.
Соавторы:
Кукушкин С.А.
,
Dyadenchuk A.F.
,
Grashchenko A.S.
,
Kidalov V.V.
,
Redkov A.V.
,
Sharkov M.D.
,
Soshnikov I.P.
,
Tsatsul’nikov A.F.
,
Tsatsul’nikov A.F.
,
Бойко М.Е.
,
Устинов В.М.
,
Черкашин М.И.
7 статей
,
1 книга
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 4, Scopus: 7
IstinaResearcherID (IRID): 114530748
Деятельность
Статьи в журналах
2022
Эпитаксиальный карбид кремния на кремнии. Метод согласованного замещения атомов
Кукушкин С.А.
,
Осипов А.В.
в журнале
Журнал общей химии
, издательство
Наука
(СПб.)
, том 92, № 4, с. 547-577
2021
Formation of composite SiC-C coatings on graphite via annealing Si-melt in CO
Grashchenko A.S.,
Kukushkin S.A.
,
Osipov A.V.
, Redkov A.V.
в журнале
Surface and Coatings Technology
, издательство
Elsevier BV
(Netherlands)
, том 423, с. 127610
DOI
2021
Nanoscale Single-Crystal Silicon Carbide on Silicon and Unique Properties of This Material
Kukushkin S.A.
,
Osipov A.V.
в журнале
Inorganic Materials
, издательство
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
(Russian Federation)
, том 57, № 13, с. 1319-1339
DOI
2021
Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates
Cherkashin N.A.
, Sakharov A.V., Nikolaev A.E., Lundin V.V., Usov S.O., Ustinov V.M., Grashchenko A.S., Kukushkin S.A.,
Osipov A.V.
,
Tsatsul’nikov A.F.
в журнале
Technical Physics Letters
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 47, № 10, с. 753-756
DOI
2021
Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates
Cherkashin N.A., Sakharov A.V., Nikolaev A.E., Lundin V.V., Usov S.O.,
Ustinov V.M.
, Grashchenko A.S.,
Kukushkin S.A.
,
Osipov A.V.
,
Tsatsul’nikov A.F.
в журнале
Technical Physics Letters
, издательство
Pleiades Publishing, Ltd
(Road Town, United Kingdom)
, том 47, № 10, с. 753-756
DOI
2020
Anomalous Properties of the Dislocation-Free Interface between Si(111) Substrate and 3C-SiC(111) Epitaxial Layer
Kukushkin Sergey A.
,
Osipov Andrey V.
в журнале
Materials
, издательство
MDPI
(Basel, Switzerland)
, том 14, № 1, с. 78
DOI
2018
GROWTH OF SiC FILMS BY THE METHOD OF SUBSTITUTION OF ATOMS ON POROUS Si (100) AND (111) SUBSTRATES
Kidalov V.V.
,
Kukushkin S.A.
,
Osipov A.V.
, Redkov A.V.,
Grashchenko A.S.
,
Soshnikov I.P.
,
Boiko M.E.
,
Sharkov M.D.
,
Dyadenchuk A.F.
в журнале
Materials Physics and Mechanics
, издательство
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем машиноведения Российской академии наук
(Санкт-Петербург)
, № 36, с. 39-52
Книги
2022
Mechanics and Control of Solids and Structures
Кукушкин Сергей Арсеньевич
,
Осипов А.В.
,
Алексей Редков
издательство
Springer International Publishing
(New York)
, ISBN 978-3-030-93075-2
DOI