ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Обнаруженная самодифракция двух лазерных лучей при двухфотонном резонансном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS объяснена их дифракцией на фазовой наведенной дифракционной решетке, возникающей за счет значительного нелинейного изменения коэффициента преломления при четырехволновом взаимодействии в прозрачной нелинейной среде с большим значением кубической нелинейности, что, по-видимому, связано с его увеличением в случае достижения экситонного резонанса в квантовых точках для суммарной энергии двух фотонов (в среде, у которой энергия основного экситонного перехода совпадает с суммарной энергии двух фотонов). Кубическая зависимость интенсивности самодифрагированных импульсов от интенсивности возбуждающих импульсов при двухфотонном возбуждении квантовых точек CdSe/ZnS объяснена процессом четырехволнового взаимодействия. Обнаруженная зависимость интенсивности самодифрагированных импульсов от интенсивности возбуждающих импульсов выше 5-ой степени может быть объяснена ростом величины двухфотонного поглощения (при приближение энергии двух фотонов лазерного излучения к точному резонансу экситонного поглощения за счет красного штарковского сдвига экситонного поглощения), сопровождающегося ростом поглощения на двухфотонно возбужденных носителях, приводящим к образованию помимо фазовой, амплитудной наведенной дифракционной решетки. Самодифракция трех лазерных лучей, пересекающихся в кювете с коллоидными квантовыми точками CdSe/ZnS, в случае однофотонного резонансного возбуждения экситонов объяснена их дифракцией на наведенной динамической двумерной дифракционной решетке (режим двумерного фотонного кристалла), которая, по-видимому, возникает за счет сосуществующих и конкурирующих процессов насыщения основного экситонного перехода и длинноволнового штарковского сдвига спектра экситонного поглощения. Измерены углы распространения самодифрагированных лучей и установлено, что они могут быть определены в соответствии с методом Лауэ дифракции рентгеновских лучей на двумерном кристалле. Методом накачки и зондирования наведенной нестационарной дифракционной решетки обнаружен двухэкспоненциальный спад релаксации резонансно возбужденных экситонов, быстрая часть которого объяснена процессом захвата носителей зарядов на поверхностные состояния квантовых точек и Оже рекомбинацией, медленная часть – излучательной рекомбинацией экситонов.