ИСТИНА

Исследованы магнитооптические (МО) и оптические свойства разбавленных магнитных полупроводников (РПМ) Ga(In)MnAs c концентрацией Mn до 10%, полученных методом ионной имплантации и импульсным лазерным отжигом. Для всех образцов был обнаружен сильный магнитооптический отклик в области низких температур, температура появления ЭЭК (эффективная температура Кюри) зависела от концентрации Mn. Вид спектров ЭЭК имплантированных образцов существенно отличался от вида спектров ЭЭК, для систем Ga(In)MnAs, приготовленных методом лазерной абляции с температурами Кюри вблизи комнатной, магнетизм которых связан с присутствием кластеров MnAs. По данным магнитооптической и оптической спектроскопии вычислены спектры действительной, ’1(E), и мнимой, ’2(E), частей недиагональных компонент тензора диэлектрической проницаемости. Положение особенностей в спектрах ЭЭК и ’2(E) изучаемых образцов сопоставляется с энергией переходов в критических точках зонной структуры полупроводниковых матриц GaAs и InAs. Наблюдаемые особенности в МО спектрах отнесены к переходам между обменно-расщеплеными валентной зоной и зоной проводимости. Сделан вывод о собственной природе ферромагнетизма в РПМ Ga(In)MnAs, полученных методом ионной имплантации и импульсным лазерным отжигом. Для серии GaMnAs слоев, выращенных лазерным напылением изучены магнитооптические и оптические свойства, также как и сопротивление, эффект Холла и намагниченность. Для некоторых образцов обнаружено появление ферромагнетизма в области температур ниже 80К. Установлено, что распределение Mn в них сильно неоднородно и что МО сигнал наблюдается от ферромагнитных включений (Ga,Mn)As с повышенной концентрацией марганца. Наблюдаемые особенности МО спектров связываются со значительным сдвигом уровня Ферми вглубь валентной зоны. Измерены магнитооптические спектры нанокомпозитов: (CoFeB) xC1-x в широкой области концентраций х.