ИСТИНА

Сегодня сообщения о ферромагнетизме при комнатной температуре в разбавленных магнитных полупроводниках не вызывают энтузиазма, а порождают скепсис и вынуждают тщательно искать, какие кластеры вторичной фазы ответственны за ферромагнетизм. В качестве примеров можно привести разбавленные магнитные полупроводники GeMn с кластерами Mn5Ge3 [1], GaMnAs с кластерами MnAs [2]. Можно было бы привести еще много примеров. Сегодня рекордсменом является GaMnAs с температурой Кюри TC = 110 К, в то время как другие разбавленные магнитные полупроводники имеют TC существенно ниже. Например, в GaMnSb теоретически предсказываемая TC = 40 К, при том, что экспериментально регистрируемое значение TC в тонких пленках, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, не превышает 25 К [3]. И, несмотря на то, что GaMnSb является в некотором смысле антирекордсменом, мы обратились именно к нему. Недавно появились свидетельства того, что в тонких пленках GaMnSb, выращенных методом импульсного лазерного осаждения, поляризация дырок может быть чувствительна к намагниченности кластеров MnSb [4]. Однако данная работа скорее обозначила ряд вопросов, чем дала ответы на них. Осталась без всякого систематического прямого экспериментального исследования и обсуждения ферромагнитная подсистема MnSb, которая и ответственна за спиновую поляризацию носителей. В настоящей работе во многом восполнен существующий пробел: определены основные магнитные характеристики тонких пленок (коэрцитивная сила, температуры блокировки, константа магнитной анизотропии и т.д.). С помощью СКВИД магнетометра (MPMS 5XL Quantum Design) были выполнены измерения температурных зависимостей магнитного момента образцов, охлажденных в нулевом магнитном поле (ZFC) и магнитном поле напряженностью 10 кЭ (FC). Температура, при которой эти зависимости начинают расходиться, соответствует температуре блокировки. Установлено, что характер FC/ZFC кривых определяется логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb. 1. Моргунов Р.Б., Дмитриев А.И. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 10. С. 1873-1889. 2. Дмитриев А.И., Таланцев А.Д., Зайцев С.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков В.Н., Коплак О.В., Моргунов Р.Б. // ЖЭТФ. 2011. Т. 140. № 1. С. 158-169. 3. Matsukura F., Abe E., Ohno H. // Appl. Phys. 2000. V. 87. № 9. P. 6442-6444. 4. Рыльков В.В., Аронзон Б.А., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Лесников В.П., Маслаков К.И., Подольский В.В. // ЖЭТФ. 2005. Т. 127. № 4. С. 838-849.