ИСТИНА

Для изучения зависимости процесса внутризонной релаксации (релаксации по уровням энергии размерного квантования) полупроводниковых квантовых точек от уровня возбуждения (от числа электронно-дырочных пар, возбужденных в квантовой точке,) проведена серия экспериментов при использовании метода накачки ультракороткими импульсами лазера (7 пс) и зондирования сверхкороткими импульсами белого света (пикосекундным континуумом). Выбор квантовых точек подходящего размера позволил осуществить резонансное возбуждение электронов в первое возбуждённое состояние электронов 1P(e). В этом случае подавлен процесс внутризонной релаксации с участием LO-фононов, так как энергия возбуждённых электронов значительно превышает энергию LO-фононов. Особенности спектров дифференциального пропускания квантовых точек CdSe/ZnS при резонансном возбуждении электронов в первое возбуждённое состояние 1P(e) – уменьшение пропускания на частоте возбуждающего излучения и просветление во время действия возбуждающего импульса на частотах, соответствующих основному энергетическому переходу 1S3/2(h) - 1S(e) и переходам между возбуждёнными состояниями дырок и основным электронным уровнем 1S(e), и замедление этого процесса с ростом энергии возбуждающего импульса – удаётся объяснить: 1. отсутствием фононного бутылочного горла для электронов из-за передачи энергии от горячих электронов к быстро релаксирующим дыркам, 2. релаксацией через промежуточные уровни энергии размерного квантования дырок, 3. замедлением релаксации с ростом числа возбуждённых носителей в квантовой точке.