ИСТИНА

1. Измерены времена спиновой релаксации в квантовых ямах ZnSe и CdTe различной структуры, ширины квантовой ямы, концентрации двумерного электронного и дырочного газа методом разрешенного во времени керровского вращения при различных интенсивностях возбуждающего излучения, величине магнитного поля и температуре образца. 2. Обнаруженная зависимость g-фактора электронов от температуры и интенсивности возбуждения объяснена уменьшением ширины запрещенной зоны с температурным расширением решетки, непараболичностью зоны проводимости, которая вычислялась с использованием пяти уровневой kp модели и фермиевской блокадой. Зависимость от концентрации 2DEG и магнитного поля, видимо, можно объяснить переходом от сильно коррелированной статистики электронов к больцмановской. 3. Измерены времена спиновой релаксации электронов в образцах с квантовыми ямами ZnSe/BeTe. 4. Изучена величина нагрева спиновой подсистемы ионов Mn лазерными импульсами в КЯ 2-го типа в гетероструктурах Zn(Mn)Se/BeTe. Установлено, что при сравнительно низких уровнях оптического возбуждения, отвечающего режиму плоских зон, нагрев магнитной подсистемы ионов Mn намного выше в образце Zn(Mn)Se/BeTe с шириной слоев 20/10 нм, чем в образце с более узкой шириной слоев 10/5 нм. Наблюдаемый эффект объясняется существенно различным временем жизни фотовозбужденных дырок в слое Zn(Mn)Se ~ 18 пс и ~ 1.5 пс в образцах с шириной слоев 20/10 нм и 10/5 нм, соответственно.