ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Исследованы электрические и оптические свойства полупроводников на основе материалов группы А3В5 и им подобных. работа связана с поиском перспективных для оптоэлектроники материалов и выяснением возможности создания на основе узкощелевых полупроводников элементов ИК-техники. Разработан, изготовлен и испытан макет фотоприемника на основе обладающего эффектом задержанной фотопроводимости легированного индием сплава свинец-олово-теллур. Фотоприемник обладает высокой обнаружительной способностью и может быть использован в диапазоне 1 - 50 мкм.