|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Дефектообразование в арсениде галлия при ионном облучениикнига
- Авторы: Алалыкин А.С., Крылов П.Н.
- Год издания: 2011
- Издательство: Lambert
- Местоположение издательства: Saarbrücken
- Объём: 184 страниц
- ISBN: 978-3-8454-7257-7
- Монография
- Добавил в систему: Алалыкин Александр Сергеевич