|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Физические основы селективных полупроводниковых сенсоровкнига
- Автор: Зайцев В.Б.
- Год издания: 2005
- Место издания: Физический факультет МГУ Москва
- Объём: 37 страниц
- Аннотация: История развития сенсоров насчитывает уже много лет. Например, первым полупроводниковым сенсором принято считать исследованный Брауном в 1874 году контакт металл—полупроводник. Браун обнаружил зависимость сопротивления такого контакта от полярности приложенного напряжения. Таким образом, считают, что для сенсора Брауна и входной и выходной сигнал – электрические. Если рассматривать только неэлектрические входные сигналы, то первым полупроводниковым сенсором считают детектор радиоволн, созданный в 1904 году. После изобретения транзистора в 1947 году начались интенсивные исследования свойств полупроводниковых приборов. В 1954 году Смит обнаружил пьезорезистивный эффект в кремнии и германии. В результате этого эффекта сопротивление полупроводника сильно меняется при приложении к нему механической силы. Это изменение на два порядка больше, чем подобный эффект в металлах, который ранее использовался в сенсорах на растяжение—сжатие. После обнаружения этого эффекта полупроводниковые сенсоры пришли на смену металлическим. Из всего разнообразия сенсоров мы уделим внимание полупроводниковым сенсорам для молекулярного анализа, то есть анализа состава газов и жидкостей. Нас будут интересовать сенсоры на нейтральные молекулы. В западной литературе такие сенсоры принято называть химическими в том смысле, что они позволяют анализировать химический состав веществ. Надо сказать, что такого типа датчики применяются не только в жидкостях и газах. С их помощью также анализируют и газово-жидкостный состав почвы, создавая специальные системы отбора проб типа вытяжки и т.п.
- Добавил в систему: Зайцев Владимир Борисович