|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
МД-Моделирование Физического Распыления Пористых Si-содержащих Материалов Ионами Ar Низких Энергийтезисы доклада
- Авторы: Сычева А.А., Воронина Е.Н.
- Сборник: Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2017. Труды 23 Межд. конф. Москва, Россия, 21-25 августа 2017 г
- Том: 1
- Тезисы
- Год издания: 2017
- Место издания: Организационный комитет международной конференции Взаимодействие ионов с поверхностью Москва, Россия
- Первая страница: 142
- Последняя страница: 145
- Аннотация: Проведено моделирование методом молекулярной динамики физического распыления пористых кристаллических поверхностей (001) кремния и альфа-кварца ионами Ar с энергией 100 и 200 эВ. Получены значения коэффициента распыления материалов при различных энергиях налетающих ионов. Описаны структурные изменения, происходящие под действием Ar.
- Добавил в систему: Сычева Анастасия Александровна