Исследование технологических дефектов в активной области гетероструктур на основе AlGaAs/GaAs при производстве суперлюминесцентного диода

Перевозчиков, М.В.; Лагов, П.Б.; Мусалитин, А.М.

Авторы: Перевозчиков М.В., Лагов П.Б., Мусалитин А.М.
Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
Номер: 3
Год издания: 2009
Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 39
Последняя страница: 43
Аннотация: Рассмотрены конструктивно-технологические особенности активного элемента суперлюминесцентного диода (СЛД) на основе многослойных гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xAs/GaAs. Приведено краткое описание отбраковочных испытаний -термоэлектротренировки (ТЭТ) и радиационно-термической тренировки (РТТ). Получены профили распределения эффективной концентрации заряженных центров в активной области СЛД и изображения структур в растровом электронном микроскопе. Выявлены особенности дефектообразования в активной области структур при проведении отбраковочных испытаний и их влияние на изменение оптической мощности СЛД. Установлено, что в структурах, отбракованных при проведении ТЭТ и РТТ, происходят одинаковые изменения мощности оптического излучения
Добавил в систему: Лагов Петр Борисович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Прикрепленные файлы