Deep Electron and Hole Traps in Electron-Irradiated Green GaN/InGaN Light Emitting Diodesстатья Исследовательская статья Электронная публикация

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 февраля 2018 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст ECS_J._Solid_State_Sci._Technol.-2017-Lee-Q127-31.pdf 575,6 КБ 1 февраля 2018 [lagov2000]

[1] Deep electron and hole traps in electron-irradiated green gan/ingan light emitting diodes / I. H. Lee, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov et al. // ECS Journal of Solid State Science and Technology. — 2017. — Vol. 6, no. 10. — P. Q127–Q131. Deep electron and hole trap spectra and electroluminescence (EL) efficiency of green multi-quantum-well (MQW) GaN/InGaN light emitting diodes were measured before and after 6 MeV electron irradiation. Starting with a fluence of 5 × 1015 cm−2, electron irradiation increased the concentration of existing electron traps with levels at Ec−0.5 eV and introduced new electron traps with levels near Ec−1 eV. The latter are the well known radiation defects formed in the GaN barriers of the GaN/InGaN MQW region. The degradation of the EL efficiency after irradiation correlates with changes of the Ec−0.5 eV and Ec−1 eV electron trap density, suggesting these are effective non-radiative recombination centers. By sharp contrast, the concentration of the dominant hole traps with levels near Ev+0.45 eV decreased after, which eliminates these from the role of Shockley-Read-Hall defects actively participating in recombination. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть