Спектры излучения диодов p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs при одноосном сжатиистатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Представлены новые экспериментальные данные о влиянии одноосного сжатия до 4 кбар вдоль кристаллографических направлений [110] и [1-10]на спектры электролюминесценции и вольтамперные характеристики диодов на основе гетероструктур n-Al{x}Ga{1-x}As/GaAs{y}P{1-y}/p-Al{x}Ga{1-x}As (y = 0.84), разработанных для инжекционных лазеров. С ростом давления спектры демонстрируют сдвиг в коротковолновую область, достигающий 25 мэВ при 3 кбар, а также рост интенсивности в 2 - 3 раза. Проведены численные расчеты зонной структуры исследованных гетероструктур при сжатии вдоль оси [110], которые указывают на возрастание эффективной ширины запрещенной зоны в квантовой яме GaAs{y}P{1-y} с барическим коэффициентом порядка 8.5 мэВ/кбар и уменьшение высоты барьеров на границах квантовой ямы. Расчеты предсказывают возможность пересечения зон (crossover) легких и тяжелых дырок при давлениях выше 4.5 - 5 кбар. Возрастание эффективной ширины запрещенной зоны полностью описывает экспериментальные данные о сдвиге спектров электролюминесценции, а смешивание состояний легких и тяжелых дырок при приближении к точке пересечения зон является вероятной причиной роста интенсивности излучения при одноосном сжатии.