Влияние концентрации ионов Al и Cе на поглощение и люминесценцию эпитаксиальных пленок Gd3(Al,Ga)5O12:Ce3статья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 октября 2015 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст Vasilev_i_dr_2015_Vliyanie_kontsentratsii_ionov_Al_i_Ce_n... 1,2 МБ 5 сентября 2015 [Dmitry_Spassky]

[1] Влияние концентрации ионов al и cе на поглощение и люминесценцию эпитаксиальных пленок gd3(al,ga)5o12:ce3 / Д. А. Васильев, Д. А. Спасский, В. В. Воронов и др. // Неорганические материалы. — 2015. — Т. 10, № 51. — С. 1090–1097. Изучено влияние ионов Al и Се на оптическое поглощение и люминесценцию монокристаллических пленок (Pb,Gd)3 – уСеуAlхGa5 – хO12, где х = 2.02, 2.09, 2.13, 2.17, 2.22 и у = 0.02, 0.06, 0.07, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденных растворов расплавов на основе системы PbO–B2O3 на монокристаллических подложках Gd3Ga5O12 с ориентацией (111) при концентрациях оксида алюминия 2.0, 2.1 и 2.2 мол. % и оксида церия 0.03 и 0.2 мол. % в шихте. Определен сдвиг полос поглощения уровней 5d1 и 5d2 ионов Ce3+ в зависимости от концентрации Al в пленках. Показано, что интенсивность полос люминесценции иона Се3+ увеличивается с ростом содержания Al и Се в пленках. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть