Photoluminescence properties of silicon nanocrystals grown by nanosecond laser ablation of solid-state targets in an inert gas atmosphereстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 марта 2018 г.

Работа с статьей


[1] Photoluminescence properties of silicon nanocrystals grown by nanosecond laser ablation of solid-state targets in an inert gas atmosphere / M. O. Morozov, I. N. Zavestovskaya, A. V. Kabashin, V. Y. Timoshenko // Bulletin of the Lebedev Physics Institute. — 2017. — Vol. 44, no. 12. — P. 353–356. Установлено, что кинетика спада интенсивности фотолюминесценции нанокристаллического слоев кремния, сформированных наносекундной лазерной абляции кремниевых мишеней в атмосфере гелия имеет степенной закон с показателем от 0,9 до 1,5 в зависимости от температуры и энергии фотона люминесценции в диапазоне 1.4–1.8 эВ, что указывает на рекомбинацию носителей заряда, контролируемую процессами диссипативного туннелирования в кремниевых нанокристаллических ансамблях. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть