Глубокий уровень ванадия в разбавленных магнитных полупроводниках Pb1−x−ySnxVyTeстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 ноября 2019 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст Физика и техника полупроводников Ftp1206.pdf 478,0 КБ 19 апреля 2015 [epskip]

[1] Глубокий уровень ванадия в разбавленных магнитных полупроводниках pb1−x−ysnxvyte / Е. П. Скипетров, А. Н. Голованов, А. В. Кнотько и др. // Физика и техника полупроводников. — 2012. — Т. 46, № 6. — С. 761–768. Исследованы кристаллическая структура, распределение олова и ванадия по длине монокристаллических слитков и гальваномагнитные эффекты в слабых магнитных полях (4.2 < T < 300 K, B < 0.07 Тл) в твердых растворах Pb1−x−ySnxVyTe (x = 0.05−0.21, y < 0.015). Показано, что все образцы однофазны, а концентрации олова и ванадия экспоненциально увеличиваются от начала к концу слитков. При легировании ванадием обнаружены уменьшение концентрации свободных дырок и переход металл–диэлектрик, связанные с возникновением глубокого примесного уровня ванадия в запрещенной зоне, перераспределением электронов между уровнем и валентной зоной и стабилизацией уровня Ферми примесным уровнем. Определена скорость движения уровня ванадия относительно дна зоны проводимости и предложена диаграмма перестройки электронной структуры Pb1−x−ySnxVyTe при изменении состава матрицы.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть