|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Fermi level pinning and long-term relaxation effects in doped IV-VI narrow-gap semiconductorsстатья
- Авторы: Volkov B., Khokhlov D.
- Журнал: HAIT Journal of Science and Engineering
- Том: 1
- Год издания: 2004
- Первая страница: 266
- Последняя страница: 273
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович